W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H 비교
다음의 상세 나란히 비교: W971GG6SB25I 제조: Winbond 및 MT47H64M16HR-25E IT:H 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron
MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | W971GG6SB25I | MT47H64M16HR-25E IT:H |
|---|---|---|
| 브랜드 | Winbond | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.48 | $2.21 |
| 메모리 유형 | Volatile, DDR2 SDRAM | DDR2 SDRAM (volatile) |
| Density | 1 Gbit (1,073,741,824 bits) | — |
| 메모리 구성 | 8M words × 8 banks × 16 bits | 8 Meg x 16 x 8 banks |
| Maximum Data Rate | 400 MT/s (DDR2-800) | — |
| Clock Frequency | 200 MHz | 400 MHz |
| Random Access Time | 57.5 ns | — |
| Bus Width | 16 bits | — |
| Supply Voltage (VDD / V_DDQ) | 1.8 V (JEDEC SSTL-18) | — |
| 인터페이스 유형 | Parallel, SSTL-18 | — |
| 동작 온도 | -40 °C to +85 °C (industrial) | -40C to +85C (Industrial, IT:H) |
| Package Type | 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Number of Pins / Balls | 84 | — |
| Bank Count | 8 | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes (per JEDEC DDR2) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| Speed Grade Suffix | 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) | — |
| Compliance | JEDEC DDR2 standard | — |
| RoHS 상태 | Compliant (lead-free) | Compliant (lead-free) |
| 메모리 크기 | — | 1 Gbit (64M x 16) |
| Access Time | — | 400 ps |
| Data Rate (effective) | — | 800 MT/s |
| 인터페이스 | — | Parallel (byte-wide) |
| Prefetch Architecture | — | 4n-bit |
| Supply Voltage VDD | — | 1.8 V ±0.1 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18) |
| I/O Standard | — | JEDEC SSTL_18-compatible |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS#) |
| 패키지 | — | 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm) |